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吴克辉 简介
 
简 历: 男,1973年10月生。1995年浙江大学物理系毕业。2000年在中科院物理所获得博士学位。2000年到2004年在日本东北大学金属材料研究所工作。现为中国科学院物理研究所百人计划研究员。
主要研究方向: 主要研究领域为表面物理和扫描隧道显微学。利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜/高分辨电子能量损失谱(STM/AFM/HREELS)等原位表面分析方法,研究表面吸附、生长动力学、单分子物理化学、以及纳米尺度的量子现象。
过去的主要工作
及获得的成果:
在SCI收录的杂志上发表论文三十余篇(包括 PRL, PRB, APL等多篇)。过去的主要工作包括:

l 。低维金属结构的受控生长、电子结构、表面等离激元物性研究:成功制备出硅表面上完美的单原子层Al膜,使用XPS和第一性原理研究了这种完美二维体系的电子结构,解释了薄膜形成的机理和稳定性的问题,研究了单层Al膜中的等离激元物性,用这种薄膜为底板获得了原子级平整的Ag薄膜。发现了一种新的理想的二维半导体[Si(111)-√3x√3-Ga>,以这个理想的二维模型对半导体中的掺杂原子诱导的屏蔽势能涨落进行了研究,指出了半导体中掺杂原子引起的纳米尺度的电荷不均匀性.在另一个相关工作中,利用金属薄膜中的垂直方向电子态的量子干涉效应,透过金属薄膜,利用STM/STS首次直接观察到界面上的掺杂原子的电荷屏蔽效应并测量了屏蔽常数。
2. 在分子吸附和自组装结构的研究方面:研究了并五苯分子在不同表面的自组装生长,通过对具有不同电子结构或晶格结构的衬底模板上生长规律的比较,探讨了分子形成稳定有序结构的机理。
3.碱金属在Si(111)表面的吸附行为的研究:揭示了碱金属在低覆盖度下首先形成一种特殊的二维原子气,并在高覆盖度下转化为自组织纳米团簇结构,澄清了一直以来认为碱金属在Si(111)7x7表面上类似原子氢和硅的悬挂键直接反应的误解。
4.纳米金刚石薄膜的生长和场致电子发射研究:通过一种新的CVD生长方法获得了晶粒尺度可控(5nm-50nm)的纳米金刚石薄膜,并首先发现纳米金刚石薄膜具有优异的场致电子发射性质。
目前的研究课题及展望: 1.科技部重大科学研究计划(973)子课题:“新一代扫描探针显微技术的研究”[2007.12-2011.11>
2.中国科学院知识创新工程重要方向项目子课题“低维小系统的受控生长研究”[2006.12-2010.11>
3.国家自然科学基金委面上项目“并五苯与固体表面的作用”[2006.1-2008.12>
4.中国科学院“百人计划”[2006.7-2009.6>

培养研究生情况: 已毕业(合作)培养博士研究生3名,目前在读博士生(含合作培养)4名,硕士生1名。计划每年招收1-2名学生。招生原则:宁缺勿滥、精心指导、共同进步。
联系电话: 010-82648130
E-mail: khwu@aphy.iphy.ac.cn
其他联系方式: 研究小组(SF06组)主页
 
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