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韩秀峰 简介
 
简 历: 1984年毕业于兰州大学物理系获理学学士学位;1990和1993年先后在吉林大学获理学硕士和博士学位。1994-1996在中科院物理所做博士后工作,从事新型 3:29 稀土永磁材料的研究;1997年任中科院半导体所副研究员,从事磁性半导体和硅外延薄膜材料的研究。1998年1月至2002年3月,分别赴巴西物理研究中心、日本东北大学应用物理系、美国新奥尔良大学高级材料研究所和爱尔兰圣三一学院物理系,从事磁性薄膜材料、磁性隧道结和磁电子学的研究。2000年获中科院“百人计划”资助;2002年起担任中科院物理所磁学国家重点实验室M02课题组组长、研究员、博士生导师。2003年在磁性金属材料研究方面获国家杰出青年基金资助;2007年在新型自旋电子学材料和物理研究方面获国家基金委创新群体项目资助;2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。2006-2010年在科技部“973和国家重大科学研究计划”中的纳米研究计划里,作为项目负责人和首席科学家承担《基于自旋和量子效应的纳米磁和半导体存储器及逻辑器件的研究》。是国际学术刊物 PRL、PRB、APL、JAP、JCM、JMMM、IEEE Tran. Magn.等40余种杂志邀请审稿人,担任JMMM和SPIN等国际学术刊物编委。已在 Phys. Rev. Lett.等国际 SCI 重要学术刊物上发表论文 200 余篇,获中国发明专利和国际专利授权50余项,在相关国际学术会议上做邀请报告50余次。
主要研究方向: 自旋电子学材料、物理及原理型器件研究。
过去的主要工作
及获得的成果:
2000年制备出室温磁电阻比值为50%(4.2K 为70%)的当时国际上最好水平的 Co-Fe/Al-O/Co-Fe 体系磁性隧道结;2004年和合作者制备出室温磁电阻TMR高达20%的有机LB膜复合磁性隧道结并获发明专利授权;2004年和合作者制备出4.2K 磁电阻TMR超过 9000%的 La1-xSrxMnO3 半金属复合磁性隧道结并获发明专利授权;2006年和合作者制备出室温磁电阻比为80%(4.2K 高于100%)的非晶金属 Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B 磁性隧道结,是目前氧化铝势垒磁性隧道结材料体系中的最好水平;2006年与合作者计算阐明了MgO双势垒磁性隧道结中的量子阱共振隧穿效应和库仑阻塞效应可以产生巨大的室温磁电阻效应. 2004-2013年与合作者一起获得中国发明专利授权50余项;获的国际发明专利授权5项;与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器(Nanoring MRAM)原理型器件、四种磁电阻磁敏传感器原理型器件。
目前的研究课题及展望: 目前的主要研究课题包括:(1)纳米磁性多层膜及其巨磁电阻效应(GMR);(2)磁性隧道结(MTJ)、半金属&稀磁半导体&有机分子膜/铁磁复合隧道结及其隧穿磁电阻效应(TMR);(3)基于自旋极化电流(自旋转移力矩-STT)驱动的新型纳米环磁随机存取存储器(MRAM)的物理研究;(4)磁逻辑、自旋晶体管和磁电阻磁敏传感器等器件原理的物理研究。
培养研究生情况: 出站博士后2名;博士毕业生21名;外籍博士毕业生4名;硕士毕业生1名。在岗博士后1名;在读博士研究生7名;在读外籍博士留学生2名;在读硕士研究生3名。
联系电话: 010-82649268
E-mail: xfhan@aphy.iphy.ac.cn
其他联系方式: 网址1:http://www.m02group.cn 网址2:http://maglab.iphy.ac.cn/M02_Webpage/index.htm
 
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