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陈小龙 简介
 
简 历: 男,1964年5月生,1991年毕业于中国科学院物理研究所,获理学博士学位。德国海德堡(Heidelberg)大学和巴洛意特(Bayreuth)大学洪堡学者,1999年国家杰出青年基金获得者,2003年转为中国科学院“百人计划”入选者。现任中国科学院物理研究所研究员,博士生导师。兼任中国晶体学会副理事长和粉末衍射专业委员会主任,国际衍射数据中心(International Center for Diffraction Data)中国区主席,中国物理学会理事,中国硅酸盐学会理事,北京市硅酸盐学会副理事长和晶体生长专业委员会主任,Powder Diffraction期刊编辑,物理杂志编委,国家基金委第十一、十二届工程与材料科学部专家评审组成员。
主要研究方向: 新光电功能材料探索及晶体生长。
过去的主要工作
及获得的成果:
长期从事无机功能材料相关系、晶体结构和物性以及晶体生长方面的研究工作,先后主持承担了国家基金委重点项目、国家科技支撑计划、863项目和国家其它有关部门的项目18项。解决了大尺寸宽带隙半导体SiC晶体生长的关键科学问题,设计出具有自主知识产权的高温晶体生长炉,研制出高质量的2英寸和3英寸晶片,有关三项国家发明专利被评估为2553.87万元,作为无形资产与投资方合作,在国内率先开展了SiC晶体产业化工作,为打破国外垄断、满足国家重大战略需求、实现SiC晶体的国产化奠定了基础;发现一系列新化合物,发展了多晶衍射数据结构分析方法,向国际衍射数据中心(ICDD)提交100余个新化合物的衍射数据,并被接受为标准参考数据。在国际上首先生长出纳米带新颖纳米结构。在国际SCI刊物上发表论文200余篇,共被引用2000余次(h因子21),其中单篇最高引用136次;合著专著“高Tc氧化物超导体系的相关系和晶体结构”一本;申请国家发明专利24项,其中已授权专利15项;有100余个新化合物的衍射数据被国际衍射数据中心收录进ICDD-PDF卡片,成为标准衍射数据。2009年2月获国务院政府特殊津贴。2007被授予ICDD Fellow称号,2005年获教育部提名国家自然科学奖一等奖(排名第二),1998年获冶金部科技进步二等奖(排名第三),1998年获中国硅酸盐学会第三届青年科技奖,1995年获第七届全国优秀科技图书二等奖(排名第三)。
目前的研究课题及展望: 目前主持国家自然科学基金委、国家科技部和中国科学院等项目多项。
1.宽带隙半导体GaN,SiC等晶体生长及其低维材料的制备和物性;
2.新型光电功能材料的探索,晶体生长和物性;
3.多晶X射线结构分析和应用;
4.石墨烯(Graphene)制备和物性研究。
培养研究生情况: 已毕业博士生21名(合作培养4名),在读研究生12名。
联系电话: 010-82649039
E-mail: xlchen@aphy.iphy.ac.cn
 
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