一、课题组主要研究方向：

中国科学院物理研究所新型化合物半导体外延材料及其物性研究课题组，长期深耕半导体材料外延生长与功能器件研发领域。课题组自上世纪 80 年代自主研制国内首台分子束外延（MBE）设备起步，率先开展 III-V 族微电子、光电子外延材料与核心器件的研发攻关；在外延装备自主研制领域成果丰硕，荣获国家科技进步二等奖 1 项、中国科学院科技进步一等奖 2 项。课题组引进国际先进III-V 族分子束外延（MBE）系统和氮化物金属有机物化学气相沉积(MOCVD)，聚焦半导体光电材料和微电子材料及器件等前沿方向开展系统性研究。

团队负责人邓震研究员，入选中国科学院物理研究所海外杰出人才引进计划和中国科学院青年创新促进会会员。课题组拥有兼容 2/4 英寸的 III-V 族分子束外延设备，配备国际一流水平器件加工全套平台以及半导体光电芯片性能表征测试装备。

目前，课题组承担国家自然科学基金委、国家重点研发、中国科学院重点部署项目及其他省部级科研项目，因科研发展与平台建设需要，现面向社会公开招聘MBE 外延及器件工艺博士后 1 名。更多信息请见课题组网页： https://e03.iphy.ac.cn/Index.html

二、招聘岗位：

MBE外延及器件工艺博士后（长期），1名

工作地点：

中国科学院物理研究所怀柔清洁能源平台

三、 岗位职责：

半导体材料外延及器件工艺博士后

1） 利用分子束外延设备进行III-V族材料生长；

2） 对生长设备进行日常管理、开腔维护及维修；

3） 负责砷化物及锑化物基器件加工；

4） 负责晶圆键合复合衬底制备；

5） 领导交代的其它工作；

四、 应聘条件：

1） 具有物理、材料、电子工程等相关专业博士学历；

2） 具有一定的英文基础，能够阅读英文实验操作流程、设备说明；

3） 动手能力强，对工作认真负责，勤奋好学，具有良好的沟通能力和团队协作精神；

4） 有半导体真空设备与半导体外延及器件加工工作经验者优先考虑。

五、 岗位待遇：

1） 薪资待遇按照所内规定执行；    

2） 课题组科研氛围浓，团队关系融洽，提供充分的空间和条件钻研感兴趣的课题。

3） 工作地点：怀柔

六、 应聘方法：

请将简历（包括学习、工作经历，发表论文等）发送至zhen.deng@iphy.ac.cn或duchunhua@iphy.ac.cn；邮件标题请标明：应聘职位+学位+本人姓名。

对于应聘材料通过初审的申请人，将会在2周内另行邮件通知提供相关学历学位证明并安排面试。