翁红明
翁红明
简介:1996.09－2000.07 南京大学物理学系 本科；
2000.09－2005.09 南京大学物理学系 理论物理专业 博士；
2005.10－2006.12 日本东北大学金属材料研究所（IMR） 博士后；
2007.01－2007.03 日本产业技术综合研究所（AIST） 特聘研究员；
2007.04－2010.06 日本北陆先端大（JAIST） 助理教授；
2010.07－2016.08 中科院物理所 副研究员；
2016.09－现在 中科院物理所 研究员，博士生导师。
主要研究方向:
拓扑量子态及其材料计算研究，磁光效应，非线性光学效应等第一性原理计算
过去的主要工作及获得的成果:
主要从事计算凝聚态物理方向的研究工作，一方面致力于计算方法和程序的开发，另一方面着重于凝聚态物质中新奇量子现象的计算研究。迄今（2024年09月）共发表SCI论文250余篇，被引用29100余次，h-因子66。2018-2023连续六年入选科睿唯安“全球高被引科学家”。
发表文章列表及引用情况：
http://www.webofscience.com/wos/author/record/F-2948-2011
https://scholar.google.com/citations?user=kalM7-8AAAAJ&hl=zh-CN
所获奖励：
x 2024年获陈嘉庚科学奖（3/3）“拓扑电子态计算预测及其材料发现”
x 2024年获国家自然科学奖一等奖（3/5）“拓扑电子材料计算预测”
x 2022年获腾讯基金会“科学探索奖”
x 2021年入选美国物理学会（APS）“杰出审稿人”（Outstanding Referee for 2021)
x 2019年获国家自然科学基金委“杰出青年基金”
x 2018年获中国科学院杰出科技成就奖（集体奖）
x 2018年入选科技部“科技创新领军人才”和“万人计划”
x 2017年获中国科学院青年科学家奖
x 2017年获“仁科芳雄亚洲奖”, AAPPS-Bulletin Society News
x 2015年获“科技盛典——2015年度十大科技创新团队奖”
x 2015年获“物理所科技新人奖”
x 2014年获国家自然科学基金委“优秀青年基金”
x 2008年获“日本学术振兴会（JSPS） 奖学金”
主要研究成果包括：
1) 发展并开发了新型计算方法和软件包：
负责研发了基于Wannier函数的拓扑物性计算方法和Gutzwiller计算方法，大幅提高了计算效率，为后续的研究工作奠定了基础。
2) 拓扑半金属研究：
与合作者一起，将能带拓扑理论从绝缘体推广到金属，成功预言了多种拓扑半金属材料，使得相关实验研究成为可能。
a, 狄拉克半金属Na3Bi和Cd3As2的理论预言和实验发现
b, 磁性外尔半金属HgCr2Se4的理论预言
c, 非磁性外尔半金属TaAs家族的理论预言和实验发现：
“理论预言并实验发现外尔半金属”的相关工作入选英国物理学会“物理世界2015年度十大突破之一”，入选美国物理学会“物理2015年度八大亮点工作之一”，入选科技部“2015年度中国十大科技进展之一”，入选两院院士评选的“2015年度中国十大科技新闻之一”，2018年入选美国物理学会“Physical Review”系列期刊125周年纪念论文集，该论文集共收录了49项百多年来对物理学产生重大影响的工作。2017年因在发现外尔半金属方面做出的理论贡献被日本仁科纪念财团授予“仁科芳雄亚洲奖”。
d, 拓扑节点线半金属的理论预言
e, 无质量三重简并点半金属的理论预言和实验验证
“发现三重简并费米子半金属”入选两院院士评选的“2017年度中国十大科技新闻之一”，入选科技部“2017年中国十大科技进展”。
f, 磁性外尔半金属CoSn2S2的理论预言和实验验证
3) 新型拓扑绝缘体研究：
利用第一性原理计算和电子结构计算数据库，依据能带拓扑理论，成功预言了多个新型拓扑绝缘体，为拓扑绝缘体的实验研究和应用开发提供了关键的必不可少的材料基础。
a, 理论预言并跟实验合作发现了大能隙二维拓扑绝缘体ZrTe5和HfTe5;
b, 把拓扑绝缘体研究扩展到了强关联电子系统领域，预言了首个强关联“拓扑晶体绝缘体”YbB12;
c, 理论预言反LiFeAs结构家族材料可能是二维拓扑绝缘体;
d, 利用高通量计算，建立拓扑材料分类数据库
代表性论文及专利:
I、狄拉克半金属
［1］Z. J. Wang et al., Phys. Rev. B 85, 195320 (2012)
［2］Z. J. Wang et al., Phys. Rev. B 88, 125427 (2013)
［3］Z. K. Liu et al., Science 343, 6173 (2014)
［4］Z. K. Liu et al., Nature Materials 13, 677 (2014)
相关的科研进展报导:拓扑半金属研究取得重要突破
II、外尔半金属
［1］ Gang Xu et al., Phys. Rev. Lett. 107, 186806 (2011)
［2］ Hongming Weng et al., Phys. Rev. X 5, 011029 (2015)
［3］ B. Q. Lv et al., Phys. Rev. X 5, 031013 (2015)
［4］ B. Q. Lv et al., Nature Physics 11, 724 (2015)
［5］ X. C. Huang et al., Phys. Rev. X 5, 031023 (2015)
［6］ B. Q. Lv et al. Phys. Rev. Lett. 115, 217601 (2015)
［7］ T. Guan et al. Phys. Rev. Lett. 115, 087002 (2015)
［8］ N. Xu et al. Nature Communications 7, 11006 (2016)
［9］ 翁红明，戴希，方忠，物理 44, 253 (2015)
［10］翁红明，物理 44, 768 (2015)
相关科研进展报导：
III、拓扑节点线半金属
［1］Hongming Weng* et al. Phys. Rev. B 92，045108（2015） （科研进展报导:拓扑Node-Line半金属的理论预言）
［2］R. Yu et al., Phys. Rev. Lett. 115，036807（2015）（科研进展报导）
［3］J. T. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 116， 195501 （2016）(科研进展报导）
IV、三重简并点半金属
［1］Hongming Weng* et al. Phys. Rev. B 93，241202（2016）
［2］Hongming Weng* et al. Phys. Rev. B 94，165201（2016）
［3］B. Q. Lv et al. Nature 546，627（2017）（科研进展报导）
［4］J. Z. Ma et al. Nature Physics 14，349（2018）
V、新型拓扑绝缘体
［1］H. Weng* et al., Phys. Rev. X 4, 011002 (2014) （科研进展报导）
［2］R Wu et al., Phys. Rev. X 6, 021017 (2016) (科研进展报导）
［3］Y Zhang et al., Nature Communications 8, 15512 (2017) (科研进展报导:ZrTe5中温度诱导Lifshitz转变的发现及其拓扑本质）
目前的研究课题及展望:
1，拓扑半金属材料计算与预言
2，二维拓扑绝缘体材料的预言
3，量子反常霍尔效应材料的设计与预言
4，拓扑材料的光学效应、光电效应计算
5，主持基金委面上、优青、杰青等项目
6，主持科技部重大研究计划磁性拓扑物态的探索与调控(2022YFA1403800）
培养研究生情况:
每年招收2名
Email:
hmweng@iphy.ac.cn