鲍丽宏

1979年出生于山西省，1999年考入南京大学物理系，2003年获本科学位。同年进入中国科学院物理研究所学习，2008年获得理学博士学位。博士毕业后先后在美国南卡罗莱纳大学、爱荷华州立大学从事博士后研究。2013年9月加入中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室，现任研究员，博士生导师。期间曾在美国布朗大学、普渡大学从事访问研究。2015年入选中国科学院青年创新促进会，并于2019年获得优秀会员基金支持。

 主要从事低维纳米体系的构筑、物性及电子器件研究:
 1. 低维纳米体系的电子输运行为及其调控；
 2. 基于低维纳米体系的逻辑、存储、光电等未来信息器件的构筑及其物理

1. 利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性，首次成功构筑了超快、非易失浮栅存储器件，成功实现了极快的纳秒级（~21 纳秒）编程/擦除时间（商用闪存器件为百微秒），极高的擦除/写入比（~10¹⁰），极长的存储时间（10年以上）和优异的耐久性（重复擦写次数大于2000次）(Nat. Nanotechnol. 16, 882 (2021))；进一步利用高真空洁净环境下二维材料的剥离与堆垛技术，构建了具有原子级锐利界面的MoS₂/hBN/MLG/hBN/MLG多层范德瓦尔斯异质结，将其作为功能单元成功构筑了基于全二维材料的超快浮栅非易失存储器，编程/擦除速度达20纳秒，擦除/编程电流比超过10⁸，数据保持时间超过10年(Adv. Mater. 36, 2311652 (2024))。

2. 采用半浮栅器件结构，成功实现二维原子晶体沟道的纳秒级（~20 ns）静电可编程掺杂，构建了p-n, n+-n及其他类型同质结，实现了逻辑整流器、存储器和多值逻辑反相器的构筑。（Adv. Mater. 35, 2301067 (2023)）；进一步采用双浮栅器件结构，构建了二维横向p-n结，通过沟道的选择性掺杂构筑了非易失性存储器、逻辑反相器、以及光伏器件等功能器件（Adv. Func. Mater. 35, 2423196 (2025)）; 提出了一种基于MoTe₂/hBN/多层石墨烯范德华异质结的部分浮栅场效应晶体管架构，在单器件内实现了超快存储、可重构晶体管和存内计算三种功能，并通过并联两个晶体管首次实现基于存内计算架构的双比特编码三元可寻址存储器（Chin. Phys. Lett. (Express Letter) 42, 068101 (2025)）。

3. 利用有机透明铁电薄膜作为顶栅，采用范德华异质结作为沟道，将光电探测器中暗电流降低了三个数量级，成功构筑了高光开关比（~10⁸）、高光响应度（~10⁴ A/W）、高探测率（~10¹³ Jones）光电探测器。（Nano Lett. 20, 6666-6673 (2020)）

4. 发展了升华盐辅助的二维原子晶体的可控制备方法，成功制备了高质量少层VSe₂单晶和多层VTe₂单晶，首次发现了VSe₂中强自旋轨道耦合诱导的弱反局域化效应 （Nano Letters 19, 4551-4559 (2019)）和VTe₂中局域磁矩诱导的近藤效应 (Nano Letters 19, 8572-8580 (2019))；首次在高质量、层数可控、空气稳定的二维铁磁性1T-CrTe₂晶体的低温电子学输运特性中观测到了长程铁磁序导致的反常霍尔效应，从而证实了其铁磁性（Nat. Commun. 12, 809 (2021)）。

5. 在实现与硅工艺融合的高质量大面积外延石墨烯与钌基底表面间的二氧化硅绝缘插层的基础上，原位制作了霍尔电子器件，成功观测到石墨烯本征二维电子气输运性质（Nano Letters 20, 8584-8591 (2020）。

1. N. E. T. Jiazila, P. Song, C. J. Wei, X. Y. Liu, H. Gao, J. Q. Sun, C. Z. Du, H. Guo, H. T. Yang, L. H. Bao^*, H. –J. Gao, "Programmable WSe₂ 2D Lateral p-n Junctions Controlled by Dual Floating Gates", Adv. Func. Mater. 35, 2423196 (2025)

2. P. Song, X. Y. Liu, J. Q. Sun, N. E. T. Jiazila, C. J. Wei, H. Gao, C. Z. Du, H. Guo, H. T. Yang, L. H. Bao^* , H. –J. Gao, "Ultrafast ternary content-addressable nonvolatile floating-gate memory based on van der Waals heterostructures", Chin. Phys. Lett. (Express Letter) 42, 068101 (2025)

3. K. Wu, H. Wang, M. Yang, L. Liu, Z. Y. Sun, G. J. Hu, Y. P. Song, X. Han, J. G. Guo, K. H. Wu, B. J. Feng, C. M. Shen, Y. Huang, Y. G. Shi, Z. G. Cheng, H. T. Yang^*, L. H. Bao^*, S. T. Pantelides, H.‐J. Gao, "Gold-Template-Assisted Mechanical Exfoliation of Large-Area 2D Layers Enables Efficient and Precise Construction of Moiré Superlattices", Adv. Mater. 36, 2313511 (2024)

4. H. Wang^#, H.Guo^#, R. Guzman^#, N. E. T. JiaziLa^#, K. Wu, A. W. Wang, X. Y. Liu, L. Liu, L. M. Wu, J. C. Chen, Q. Huan, W. Zhou^*, H. T. Yang^*, S. T. Pantelides, L. H. Bao^*, H. -J. Gao, "Ultrafast Non-Volatile Floating-Gate Memory Based on All-2D Materials", Adv. Mater. 36, 2311652 (2024)

5. H. Wang^#, L. H. Bao^#,*, R. Guzman, K. Wu, A. W. Wang, L. Liu, L. M. Wu, J. C. Chen, Q. Huan, W. Zhou^*, S. T. Pantelides, H. -J. Gao, "Ultrafast-programmable two-dimensional homojunctions based on van der Waals heterostructures on a silicon substrate" Adv. Mater. 35, 2301067 (2023)

6. L. H. Bao, L. Huang, H. Guo, H. –J. Gao*, “Construction and physical properties of low-dimensional structures for nanoscale electronic devices”, Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 9082 (2022) (Invited Review).

7. L. M. Wu^#, A. W. Wang^#, J. A. Shi^#, J. H. Yan^#, Z. Zhou, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huan, W. Zhou, L. H. Bao^*, M. Ouyang, S. J. Pennycook, S. T. Pantelides, H. -J. Gao, "Atomically sharp interface enabled ultrahigh-speed non-volatile memory devices", Nat. Nanotechnol. 16, 882 (2021).

8. L. J. Meng^#, Z. Zhou^#, M. Q. Xu^#, S. Q. Yang^#, K. P. Si, L. X. Liu, X. G. Wang, H. N. Jiang, B. X. Li, P. X. Qin, P. Zhang, J. L. Wang, Z. Q. Liu, P. Z. Tang, Y. Ye^*, W. Zhou^*, L. H. Bao^*, H. –J. Gao, Y. J. Gong^*, “Anomalous thickness dependence of Cuire temperature in air-stable two-dimensional ferromagnetic 1T-CrTe₂ grown by chemical vapor deposition”, Nat. Commun. 12, 809 (2021) .

9. L. Liu, L. M. Wu, A. W. Wang, H. T. Liu, R. S. Ma, K. Wu, J. C. Chen, Z. Zhou, Y. Tian, H. T. Yang, C. M. Shen, L. H. Bao^*, Z. H. Qin^*, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “Ferroelectric-gated InSe photodetectors with high on/off ratios and photoresponsivity”, Nano Lett. 20, 6666-6673 (2020).

10. H. Guo^#, X. Y. Wang^#, L. Huang^#, X. Jin, Z. Z. Yang, Z. Zhou, H. Hu, Y. –Y. Zhang, H. L. Lu, Q. H. Zhang, C. M. Shen, X. Lin, L. Gu, Q. Dai, L. H. Bao^*, S. X. Du^*, W. Hofer, S. T. Pantelides, H. –J. Gao^*, “Insulating SiO₂ under centimeter-scale, single-crystal graphene enables electronic-device fabrication”, Nano Lett. 20,  8584-8591 (2020).

11. L. M. Wu, J. A. Shi, Z. Zhou, J. H. Yan, A. W. Wang, C. Bian, J. J. Ma, R. S. Ma, H. T. Liu, J. C. Chen, Y. Huang, W. Zhou^*, L. H. Bao^*, M. Ouyang, S. T. Pantelides, H. –J. Gao, “InSe/hBN/graphite heterostructure for high-performance 2D electronics and flexible electronics”, Nano Res. 13, 1127-1132 (2020).

12. H. T. Liu, Y. Z. Xue, J. A. Shi, Roger A. Guzman, P. P. Zhang, Z. Zhou, Y. G. He, C. Bian, L. M. Wu, R. S. Ma, J. C. Chen, J. H. Yan, H. T. Yang, C. M. Shen, W. Zhou, L. H. Bao^*, and H.-J. Gao, “Observation of the Kondo Effect in Multilayer Sing-Crystalline VTe₂ Nanoplates”, Nano Lett. 19, 8572-8590 (2019).

13. H. T. Liu,^# L. H. Bao,^{#, *} Z. Zhou, B. Y. Che, R. Z. Zhang, C. Bian, R. S. Ma, L. M. Wu, H. F. Yang, J. J. Li, C. Z. Gu, C. M. Shen, S. X. Du, and H.-J. Gao, “Quasi-2D Transport and Weak Antilocalization Effect in Few-Layered VSe₂”, Nano Lett. 19, 4551-4559 (2019).

目前正在进行的研究项目有：国家重点研发计划纳米科技专项1项，中国科学院基础研究领域稳定支持计划等。

 已协助培养6名博士生，每年拟招收1-2名硕博连读生。

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