张建军

简介:

男，博导，研究员，课题组长，国家杰出青年科学基金获得者，纳米物理与器件中科院重点实验室主任。1997-2004年湘潭大学本科、硕士，2005-2010年德国马普固体所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士，2010-2013年德国莱布尼兹固体和材料研究所博士后，2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心从事原子尺度半导体器件研究，2014年入选中科院人才计划到物理所工作，2016年成立半导体量子材料与器件课题组 (N09)，2019年中科院人才计划终期评估获优秀。

主要研究方向:

量子计算材料，硅基光电子材料与器件，半导体材料原子制造
http://n09.iphy.ac.cn/index.html

过去的主要工作及获得的成果:

1. 发现了在硅衬底上大规模生长锗量子线的新方法，在零维量子点被发现22年之后把它推广到了一维量子线 (PRL 109, 085502 (2012))；实现了晶圆级硅基锗量子线的自组装定位生长并观测到可电场调控的强自旋轨道作用 (Adv. Mater. 32, 1906523 (2020))；合作实现了国际首个锗量子比特及操控速度最快的量子比特 (Nat. Comm.  9, 3902 (2018); Nat. Comm.  13, 206 (2022))，受邀为国际顶级期刊《Nature Reviews Materials》 合写了综述论文 “The Germanium Quantum Information Route”  (NRM 6, 926 (2021))。
2. 有效克服了硅上生长砷化镓存在极性失配、晶格失配和热失配的历史难题 (APL 113, 053107 (2018); OME 10, 1045 (2020))，实现了高性能Si(001)及SOI基InAs/GaAs量子点激光器 (Opt. Expr. 29, 674 (2021)；Opt. Expr. 28, 26555 (2020); Opt. Lett. 45, 2042 (2020);Opt. Expr. 27, 19348 (2019)) 等，对实现单片集成硅光芯片具有重要意义。

代表性论文及专利:

https://publons.com/researcher/2972367/jianjun-zhang/

目前的研究课题及展望:

拥有多台4英寸和8英寸的IV族SiGe和III-V分子束外延设备，研究重点主要集中在：(1)面向量子计算的硅基量子芯片材料，包括半导体量子点、量子线和量子薄膜异质结原子尺度精准的外延生长和物性测量；（2）面向硅基光电子集成的材料和器件，包括CMOS工艺兼容的硅基III-V族InAs/GaAs材料外延、器件和光电子集成研究。拥有国际一流的研究设备，近年承担包括国家科技创新2030和重点研发计划课题，基金委重点项目和杰出青年基金项目，中科院以及北京市、广东省等纵向和大公司的横向合作研究项目。

培养研究生情况:
每年招收硕博生或博士生2-3名，欢迎动手能力强，踏实肯干，有相关背景（物理，材料，电子工程）的考生报考。毕业生就业前景好，已毕业学生在大公司或研究院所工作。

其他联系方式:

近期招聘材料外延、光电子器件或低温输运等研究方向的工程师、博士后和职工，待遇优厚，博士后优秀者年薪可达45万，职工具体面谈，工作地点中关村或东莞松山湖材料实验室。
 

电话：
010-82649869

Email:
jjzhang@iphy.ac.cn