任治安

男，1999年中国科学技术大学物理系本科毕业，2004年中国科学院物理研究所获博士学位。2005-2007年在日本Aoyama-Gakuin University 做博士后研究。现任中国科学院物理研究所研究员，中国科学院大学岗位教授，博士生导师，超导室SC10课题组长。荣获2008年物理所“科技新人奖”、2009年中国科学院“卢嘉锡青年人才奖”、2009年求是基金会“求是杰出科技成就集体奖”、2012年中国物理学会“最有影响论文奖”特等奖，中国科学院青年创新促进会优秀会员，《科学通报》优秀编委奖等。

超导是凝聚态物理中最奇特的一种宏观量子现象，被誉为20世纪最伟大的科学发现之一。超导体具有的零电阻效应、迈斯纳效应、约瑟夫森效应等独特性质，在强磁场技术、电力工业、交通、通讯、医疗、能源、量子计算等诸多领域具有广阔的应用前景，发现实用化的室温超导材料将带来一场新的工业技术革命。研究方向包括：

1. 新型高温超导体以至室温超导体的探索研究；
2. 物质的组成、晶格结构、电磁热输运性质、电子能带结构等与超导物理的相关规律研究；
3. 高质量新型超导单晶的生长及相关物理问题研究；
4. 下一代高场超导磁体关键超导材料的制备与应用开发研究。
 

坚持新型高温超导材料探索研究，创造了铁基高温超导中55K的最高Tc世界记录，发现硼掺杂碳化硅新超导体（B-doped SiC），发现氟掺杂的镨系、钕系铁基高温超导体（PrFeAsO1-xFx、NdFeAsO1-xFx）并首次将铁基的Tc提高到50K以上，发现氧缺位诱发的十种新铁基超导体RFeAsO1-x（稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y），发现了系列Cr/Mo基超导体等三十多种新超导体。发表科研论文150多篇，(有6 篇第一/通讯作者论文引用过百次，最高单篇被引用1500多次)。国际期刊《New Journal of Physics》关于铁基超导特刊的客座编辑，《科学通报》编委。


发现的一些超导材料：
发现硼掺杂碳化硅新超导体（B-doped SiC），T_c ~ 1.4 K 。
发现新型铁基超导体PrFeAsO1-xFx，T_c ~ 52 K，是世界上第一个T_c 高于50 K的铁基超导体。
发现新型铁基超导体NdFeAsO1-xFx，T_c ~ 52 K。
制备出起始T_c ~ 55 K，零电阻54 K 的铁基超导体SmFeAsO1-xFx，是铁基体超导最高T_c 世界记录。
发现10种无F掺杂的、氧缺位诱导的新型铁基超导体RFeAsO_1-x（稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y等），最高T_c ~ 55 K，是世界上首次获得氧缺位型铁基超导体。
发现Ru系的 LaRu2As2 超导体， T_c ~ 7.8 K，是此结构中非铁基的最高T_c 。
发现铁基CaFe2As2非掺杂母体单晶淬火后超导，T_c ~ 25 K。
发现Pd系的 BaPd2As2 超导体， T_c ~ 3.8 K。
发现Ir系的BaIr2As2 超导体， T_c ~ 2.8 K。
发现Co2P型的ScRuSi 超导体，T_c ~ 3.1 K。
发现第一个112 型的铁基母体化合物EuFeAs2，通过Eu位掺La超导，T_c ~ 11 K，而Fe位掺Co超导 T_c 达 28 K。
发现首个133型Cr系准一维结构超导体KCr3As3，空气中稳定，T_c ~ 5 K。
发现133型Cr系准一维结构超导体RbCr3As3，T_c ~ 7.3 K。
发现233型Cr系准一维结构超导体Na2Cr3As3，T_c ~ 8.6 K，为目前Cr系超导最高T_c 。
发现首个MoAs型准一维结构超导体K2Mo3As3，T_c ~ 10.4 K，是第一个T_c 超过10K的准一维超导体。
发现MoAs型准一维结构超导体Rb2Mo3As3，T_c ~ 10.6 K，和Cs2Mo3As3，T_c ~ 11.5 K，是目前T_c 最高的准一维超导体。
发现122结构的LaPd2Bi2 超导体， T_c ~ 2.8 K。
发现具有新型BiCl平面层状结构的超导体Bi₃O₂S₂Cl，T_c ~ 3.5 K。
发现T2相的Mo基超导体Mo5GeB2，T_c ~ 5.8 K。
发现Mo5Si3相的Mo基超导体Mo5Si2As，T_c ~ 7.7 K，和Mo5Si1.5P1.5，T_c 达到 10.8 K。

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新型高温超导材料探索研究，国家自然科学基金面上项目，中国科学院下一代高场超导磁体关键科学与技术战略先导专项，科技部“变革性技术关键科学问题”重点专项，中国科学院青年创新促进会优秀会员基金等。

已毕业博士研究生8名，在读7人；拟每年招收硕博研究生、博士后等2-3人。科学探索基于兴趣，欢迎对高温超导、室温超导探索研究等相关方向有浓厚兴趣的物理、化学、材料等专业的学生联系报考。

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