陈允忠

简介:

男，1980年10月生，中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。于2009年中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室获博士学位，2009-2021年在丹麦技术大学能源系以及丹麦瑞瑟可持续能源国家实验室工作，历任博士后，研究员和资深研究员等。2016年获丹麦王国技术科学大博士学位。2021年2月至今在中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室任研究员。

主要研究方向:

稀土磁性材料；稀土过渡金属氧化物薄膜与异质结构的磁性及磁输运行为；金属性导电氧化物界面及自旋-轨道耦合效应。

过去的主要工作及获得的成果:

1）制备了KTaO3金属性导电界面新体系，并利用光调控、晶向调节等手段实现了KTaO3界面Rashba效应的极大增强（Adv. Mater. 2023, Adv. Mater. 2024）;

2) 在国际上首次提出并证明了电荷转移导致的氧化物界面二维电子液体的调制掺杂原理 (Nat. Mater. 2015)使氧化物界面二维电子液体的电子迁移率提升了大约 100 倍，成功观测到氧化物界面二维电子液体的多量子阱量子霍尔效应（Phys. Rev. Lett. 2016)，同时发现电声耦合降低是调制掺杂氧化物界面迁移率大幅提升的主要原因（ACS Nano 2022)；

3）结合调制掺杂以及磁近邻效应制备了稀磁氧化物界面(Adv. Mater. 2019) , 首次获得了高迁移率磁性二维电子液体并发现了可能的超导与铁磁共存基态 ;

4) 首次发现了非对称性氧化物界面（尖晶石与钙钛矿 gamma-Al2O3/SrTiO3 异质界面）二维电子液体 （Nat. Commun. 2013）。这是第一个非全钙钛矿体系外延界面处的高迁移率二维电子液体，打破了过去十年来钙钛矿与钙钛矿同质界面垄断氧化物界面二维电子液体的局面；

5) 首次发现了稀土过渡族金属氧化物界面附近氧化还原反应导致的二维电子液体 (Nano Lett. 2011)，打破了国际上盛行的非晶氧化物界面不能形成二维导电的错误认识。

代表性论文及专利:

1.     Hao Xu, Hang Li, Nicolas Gauquelin, Xuejiao Chen, Wen-Feng Wu, Yuchen Zhao, Liang Si, Di Tian, Lei Li, Yulin Gan, Shaojin Qi, Minghang Li, Fengxia Hu, Jirong Sun, Daen Jannis, Pu Yu, Gang Chen, Zhicheng Zhong, Milan Radovic, Johan Verbeeck, Yunzhong Chen*, Baogen Shen, Giant tunability of Rashba splitting at cation-exchanged polar oxide interfaces by selective orbital hybrization，Adv. Mater.  202313297 (2024) 

2.   Minghang Li, Hanqi Pi, Yunchi Zhao, Ting Lin, Qinghua Zhang, Xinzhe Hu, Changmin Xiong*, Zhiyong Qiu, Lichen Wang, Ying Zhang, Jianwang Cai, Wuming Liu, Jirong Sun, Fengxia Hu, Lin Gu, Hongming Weng, Quansheng Wu*, Shouguo Wang*, Yunzhong Chen*, Baogen Shen, Large anomalous Nernst effects at room temperature in Fe3Pt thin films. Adv. Mater.  35, 2301339 (2023)

3.     Yulin Gan, Fazhi Yang, Lingyuan Kong, Xuejiao Chen, Hao Xu, Jin Zhao, Gang Li, Yuchen Zhao, Lei Yan, Zhicheng Zhong*, Yunzhong Chen* and Hong Ding*，Light-induced giant Rashba spin-orbit coupling at superconducting KTaO3 (110) heterointerfaces. Adv. Mater. 35, 2300582 (2023)

4.      Li, Hang; Gan, Yulin; Husanu, Marius-Adrian; Dahm, Rasmus ; Christensen, Dennis; Radovic, Milan; Sun, Ji-Rong; Shi, Ming; Shen, Baogen; Pryds, Nini*; Chen, Yunzhong*，Robust Electronic Structure of Manganite-Buffered Oxide Interfaces with Extreme Mobility Enhancement. ACS Nano. 16,6437 (2022)

5.      Y. L. Gan, D. V. Christensen, Y. Zhang, H. R. Zhang, K. Dileep, Z. Zhong, W. Niu, D. J. Carrad, K. Norrman, M. von Soosten, T. S. Jespersen, B. G. Shen, N. Gauquelin, J. Verbeeck, J. R. Sun, N. Pryds and Y. Z. Chen*, Diluted oxide interfaces with tunable ground states. Adv. Mater. 31, 1805970 (2019).

6.      Y. Z. Chen*, and N. Pryds, Conducting Oxide Interfaces: 2D hole gas seen. Nat. Mater. 17, 215-216 (2018) (News and Views)

7.      Y. Z. Chen*, R. J. Green*, R. Sutarto, F. He, S. Linderoth, G. A. Sawatzky, and N. Pryds. Tuning the two-dimensional electron liquid at oxide interfaces by buffer-layer-engineered redox reactions.  Nano Lett. 17, 7062-7066 (2017)

8.      Felix Trier*, Guen E.D.K. Prawiroatmodjo, Zhicheng Zhong, Dennis V. Christensen, Merlin v. Soosten, A. Bhowmik, J. M. Garca Lastra, Y. Z. Chen*, Thomas S. Jespersen, and Nini Pryds*. Quantization of Hall resistance at the metallic interface between an oxide insulator and SrTiO3. Phys. Rev. Lett. 117, 096804 (2016)

9.      Y. Z. Chen*, F. Trier, T. Wijnands, R. J. Green, N. Gauquelin, R. Egoavil, D. V. Christensen, G. Koster, M. Huijben, N. Bovet, S. Macke, F. He, R. Sutarto, N. H. Andersen, J. A. Sulpizio, M. Honig, G. E. D. K. Prawiroatmodjo, T. S. Jespersen, S. Linderoth, S. Ilani, J. Verbeeck, G. Van Tendeloo, G. Rijnders, G. A. Sawatzky, N. Pryds. Extreme mobility enhancement of two-dimensional electron gases at oxide interfaces via charge transfer induced modulation doping.  Nat. Mater. 14, 801-806 (2015)

10.    Y. Z. Chen*, F. Trier, T. Kasama, D. V. Christensen, N. Bovet, Z. I. Balogh, H. Li, K. Thyden, W. Zhang, S. Yazdi, P. Norby, N. Pryds, and S. Linderoth. Creation of high mobility two-dimensional electron gases via strain induced polarization at an otherwise nonpolar complex oxide interfaces. Nano. Lett. 15, 1849-1854 (2015)

11.    Y. Z. Chen*, Nico Bovet, Felix Trier, Dennis V. Christensen, Fanming Qu, Niels H. Andersen, Takeshi Kasama, Wei Zhang, Roman Giraud, J. Dufouleur, Thomas S. Jespersen, Jirong Sun, Anders Smith, Jesper Nygård, Li Lu , B. Buchner, Baogen Shen, Soeren Linderoth, and Nini Pryds,. A high-mobility two-dimensional electron gas at the spinel/perovskite interface of γ-Al2O3/SrTiO3. Nat. Commun. 4, 1371 (1-6) (2013）

目前的研究课题及展望:

目前的研究集中于稀土磁性材料；氧化物界面金属性二维导电及演生磁性；铁氧体材料；永磁材料中的反常能斯特效应等。

培养研究生情况:

计划平均每年招收2名学生。注重国际国内合作与交流。

其他联系方式:

电话：
010-82648116

电话：
010-82648116

Email:
yzchen@iphy.ac.cn