朱涛

男，1968年12月生，1997年浙江大学材料系无机非金属专业博士毕业，现为中科院物理研究所研究员，同时兼任中国散裂中子源反射谱仪组组长。2001-2002年美国Delaware大学高级访问学者，2005-2006年德国Juelich研究中心Humboldt学者。

主要从事自旋电子新材料，新物理机制的研究，特别是以及采用国内仅有的极化中子反射技术开展薄膜新奇磁性的研究，目前主要开展垂直磁化薄膜的自旋轨道耦合力矩及其在传感期间中的应用研究。

主持设计和建造了中国散裂中子源多功能反射谱仪，目前负责其开放运行。极化中子反射技术是国内唯一可用于磁性薄膜内部结构和磁结构的表征和分析的大科学装置设备，该谱仪已于2018年建成，是分析和表征磁性氧化物，垂直磁化膜，磁性梯度膜等新型磁性薄膜材料磁结构的有力工具。开放运行以来已经在Sci. Adv., Nat. Comm., Phys. Rev. Lett., Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Nano Lett.等国际一流期刊上发表合作文章50余篇。 

从1997年起一直从事磁性薄膜及自旋电子学有关的材料研究工作，以第一作者或通讯作者发表文章在Adv. Funct. Mater., Adv. Elect. Mater., APL Mater., Phys.Rev.Research, Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等国际学术期刊上发表文章100余篇。先后开创性开展了Fe-Al₂O₃颗粒膜的隧穿磁电阻效应研究[PRB 60, 11918 (1999)]；LSMO纳米颗粒体的晶界隧穿磁电阻效应研究[APL 78, 3863 (2001)]；Fe₃O₄t纳米颗粒的非常规交换偏置效应研究[PRB 70, 092409 (2004)]；采用极化中子反射对垂直磁隧道结Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta的界面结构进行了研究[APL 100, 202406 (2012)]；制备出迄今为止热稳定最好（最高退火温度超过600 ^oC）的垂直催化膜[APL 120, 022402 (2022);  APL Mater. 11, 111126 (2023)]; 首次发现面外SOT具有界面效应[Adv. Funct. Mater. 34, 2401018 (2024)]等。

SOT调控的磁传感器件主要基于通过调控薄膜的磁各向异性发现的迄今为止Hall灵敏度最高的材料[APL 104, 202404 (2014)]；以及国际上首次从实验上发现轨道矩(OT)诱导的磁化翻转[Phys. Rev. Research 2, 013127 (2020)；PRB 104, 224429 (2021)]。研究生通过研究，将熟练掌握微电子加工工艺，能够适应磁性传感器，及MRAM等应用开发。

已在Nat. Comm.、Sci. Adv.、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.、APL Mater.、ACS Energy Lett.、ACS Appl. Mater. Interf.、Phys. Rev. Research 等国际学术期刊上发表文章120多篇、授权国家发明专利8项。

目前科研经费充足，主持国家重点研发计划课题(2020YFA0406002)一项，参加国家重点研发计划课题(2021YFA1400302)一项，参加国家自然科学基金重点项目两项，负责中国散裂中子源多功能反射谱仪的开放运行。

已毕业硕士2人，博士1人，联合培养硕士3人，联合培养博士2人，博士后出站5人，在读硕士生2人，在读博士生1人，欢迎具有物理和材料等专业背景，对新奇磁性功能薄膜及其传感应用方面感兴趣的考生报考！

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