朱涛

朱涛

简介:

男,1968年12月生,1997年浙江大学材料系工学博士,现为中科院物理研究所研究员,同时兼任中国散裂中子源反射谱仪组组长。曾于2001年到2002年在美国Delaware大学做访问学者,2005年到2006年在德国Juelich研究中心做Humboldt学者。



主要研究方向:

主要从事自旋电子材料及物理机制的研究,着重于磁性金属/氧化物及其异质结的自旋相关输运特性的研究及应用,以及极化中子反射技术的发展和应用研究。



过去的主要工作及获得的成果:

主持设计、建造和运行中国散裂中子源多功能反射谱仪,目前,极化中子反射技术是国内唯一可用于磁性薄膜内部结构和磁结构表征和分析的设备。该谱仪已于2018年建成,分析和表征了一批磁性氧化物,垂直磁化膜等新型磁性薄膜材料的磁结构,相关合作文章发表在Adv. Mater., Nano Lett., Nano Energy,Phys.Rev.Research等国际一流期刊上。 

从1997年起一直从事磁性薄膜及自旋电子学有关的材料研究工作,先后开展了Fe-Al2O3颗粒膜的隧穿磁电阻效应研究(PRB 1999, 60, 11918);LSMO纳米颗粒体的晶界隧穿磁电阻效应研究(APL 2001, 78, 3863);Fe3O4t纳米颗粒的非常规交换偏置效应研究(PRB 2004, 60, 11918);Co-ZnO稀磁半导体的磁性机理研究(APL 2006, 89, 022508);采用极化中子反射对垂直磁隧道结Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta的界面结构进行了研究(APL 2012, 100, 202406);进一步通过调控MgO/CoFeB/Ta薄膜的磁各向异性发现了迄今为止Hall灵敏度最高的材料(APL 2014, 104, 202404);采用极化中子反射从实验上证实了YIG/NiO/Pt中存在的垂直交换耦合(APL 2018, 113, 072406);首次实验上发现弱自旋轨道耦合的Zr的轨道霍尔效应导致的磁化翻转(PRR 2020, 2, 013127)。



代表性论文及专利:

已在Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Energy Lett.、ACS Appl. Mater. Interf.、Phys. Rev. Research 等国际一流期刊发表文章90多篇、授权国家发明专利8项。



目前的研究课题及展望:

目前主持国家重点研发计划课题(2020YFA0406002)一项,以及中国散裂中子源多功能反射谱仪运行。



培养研究生情况:

已毕业联合培养硕士两人,博士2人,博士后出站3人,在读硕士生1人,在站博士后2人,欢迎具有物理和材料等专业背景、以及对磁性功能薄膜材料感兴趣的考生报考!



其他联系方式:
电话:010-82649034;Email: tzhu@iphy.ac.cn

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